AO4612 SO-8
Tранзистор AO4612 SO-8
Код: AO4612 SO-8
MOS-N+P-FET 60V 4.5A +/-60V , ID=+/-3.2A RDS(ON) - 56mΩ (VGS=10V) < 105mΩ (VGS = -10V) USED IN VIT710105 REV:5;
AF4502C SO-8
Транзистор AF4502C SO-8
Код: AF4502C SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+10/-8.5A Rds(on)=20/30mR 2.1W ALSO:IRF7389;FDS8958;
AM4512C  SO-8
Транзистор AM4512C SO-8
Код: AM4512C SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-5A Rds(on)=27/49mR 2W;=AO4600 Dual N-and P channel,MosFET,30V,7A,2.1W,<20-46mom(6A),8-SOP,Anpec 4512C Transistor AM4512C Anpec;
AO4600 SO-8
Транзистор AO4600 SO-8
Код: AO4600 SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-5A Rds(on)=27/49mR 2W;
AO4604 GT4604 SO-8
Транзистор AO4604 SO-8
Код: AO4604 GT4604 SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-5A Rds(on)=30/28mR 2W ALSOAF4502C;IRF7389;FDS8958A;
AO4606 GT4606 SO-8
Транзистор AO4606 SO-8
Код: AO4606 GT4606 SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6/-6.5A Rds(on)=30/28mR 2W ALSOAF4502C;IRF7389;FDS8958A;
AO4607 SOT-8
Транзистор AO4607 SOT-8
Код: AO4607 SOT-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-6A Rds(on)=28/35mR 2W WITH DUAL SCHOTTKY DIODE;
AO4614 SO-8
Транзистор AO4614 SO-8
Код: AO4614 SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-40V Id=+6/-5A Rds(on)=35/49mR 2W;AD4614 SO-8;
AO4616 SO-8
Транзистор AO4616 SO-8
Код: AO4616 SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+8/-7A Rds(on)=16/28mR 2W;; ;
AO4620 SO-8
Транзистор AO4620 SO-8
Код: AO4620 SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+7.2/-5.3A Rds(on)=30/28mR 2W ALSOAF4502C;IRF7389;FDS8958A;
AO4621 SO-8
Транзистор AO4621 SO-8
Код: AO4621 SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-40V Id=+6/-5A Rds(on)=31/45mR 2W;
AOD607 TO-252-5
Транзистор AOD607 TO-252-5
Код: AOD607 TO-252-5
MOS-N+P-FET Vdss=30/-30V Id=12/-12A Rds(on)=37mR ;
AOP605 DIP-8
Транзистор AOP605 DIP-8
Код: AOP605 DIP-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+7.5/-6.6A Rds(on)=28/35mR 2.5W;
On request
AP4501GM SO-8
Транзистор AP4501GM SO-8
Код: AP4501GM SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+6.9/-5A Rds(on)=27/49mR 2W;=AO4600=AM4512C Dual N-and P channel,MosFET,30V,7A,2.0W,<20-46mom(6A),8-MDIP/SOP,Anpec 4501GM Transistor AM4501GM Anpec Housing Type: SO8 Manufacturer: AMD Connection type: SMD Max. Working Voltage: 30 V Capacity: 2 W Max. Temperature: 150 ;
AP4506GEH TO-252-4L
Транзистор AP4506GEH TO-252-4L
Код: AP4506GEH TO-252-4L
MOS-N+P FET Vdss=+/-30V Id=9/-8A Rds(on)=24/36mR 3.1W WITH Z-DIODE;
AP4511GD   DIP-8
Транзистор AP4511GD DIP-8
Код: AP4511GD DIP-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-35V Id=+7/-6.1A Rds(on)=25/40mR 2W;P2503;SI4565DI;
AP4511GM SO-8
Транзистор AP4511GM SO-8
Код: AP4511GM SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-35V Id=+7/-6.1A Rds(on)=25/40mR 2W ALSO:IRF7389;AF4502C;FDS8958A;apm4548k;
On request
AP4525GEH TO-252-4L
Транзистор AP4525GEH TO-252-4L
Код: AP4525GEH TO-252-4L
MOS-N+P Vdss=+/-40V Id=15/-12A Rds(on)=28/42mR 10.4W WITH Z-DIODE;
AP4533GEM SO-8
Транзистор AP4533GEM SO-8
Код: AP4533GEM SO-8
MOS-N+P Vdss=+/-30V Id=8.4/-6A Rds(on)=18/36mR 2W WITH Z-DIODE;
AP9930GM SO-8
Транзистор AP9930GM SO-8
Код: AP9930GM SO-8
MOS-N+P-FET DUAL Vdss=+/-30V Id=+5.5/-4.1A Rds(on)=33/55mR 1.38W;
APM4048DU4 TO-252-4
Транзистор APM4048DU4 TO-252-4
Код: APM4048DU4 TO-252-4
MOS-N+P-FET Vdss=+/-40V Id=+7.5/-6A Rds(on)=25/37mR 25W;
APM4542 SO-8
Транзистор APM4542 SO-8
Код: APM4542 SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+7/-5.5A Rds(on)=17/35mR 2W;
APM4546 DIP-8
Транзистор APM4546 DIP-8
Код: APM4546 DIP-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+7/-5A Rds(on)=20/32mR 2W;APM4550;
APM4550 SO-8
Транзистор APM4550 SO-8
Код: APM4550 SO-8
MOS-N+P-FET Vdss=+/-30V Id=+8/-7A Rds(on)=20/32mR 2.5W P605 =P607=4511GM =APM4546=APM4550 IC for LG Power PaneL ;